磁通量






















磁通量,符號為 ΦB{displaystyle Phi _{B}}Phi_B,是通過某给定曲面的磁場(亦称为磁通量密度)的大小的度量。磁通量的国际单位制單位是韦伯。




目录






  • 1 描述


  • 2 通过闭曲面的磁通量


  • 3 通过开曲面的磁通量


  • 4 与电通量的比较


  • 5 参考文献


  • 6 外部链接


  • 7 參見





描述


给定曲面上的磁通量大小与通过曲面的磁場線的个数成正比。此处磁场线的个数是个“净”数量,即从一个方向上通过的个数减去另一个方向上通过的个数。当一个均匀磁场垂直通过一个平面,磁通量即是磁场与该平面面积的乘积。当均匀磁场B{displaystyle mathbf {B} }mathbf {B} 以任意角度通过一个平面,磁通量即是磁场与该平面面积a{displaystyle mathbf {a} }mathbf {a} 的点积。[1]



ΦB=B⋅a=Bacos⁡θ{displaystyle displaystyle Phi _{B}=mathbf {B} cdot mathbf {a} =Bacos theta }{displaystyle displaystyle Phi _{B}=mathbf {B} cdot mathbf {a} =Bacos theta }   

其中,θ{displaystyle theta }theta 是磁场B{displaystyle mathbf {B} }mathbf {B} 和平面面积法向量a{displaystyle mathbf {a} }mathbf {a} 的夹角.




图1:曲面积分的定义基于将曲面分割成小的曲面元。每个曲面元对应一个向量dS{displaystyle dmathbf {S} }d{mathbf  {S}}。该向量的大小即曲面元的面积,方向为指向外部的法向量。




图2:曲面法向量的向量場。


在一般情况下,磁通量是通过磁場在曲面面积上的积分定義的(见图1和图2)。


ΦB=∬SB⋅dS{displaystyle Phi _{B}=iint limits _{S}mathbf {B} cdot dmathbf {S} }{displaystyle Phi _{B}=iint limits _{S}mathbf {B} cdot dmathbf {S} }

其中,ΦB {displaystyle Phi _{B} }{displaystyle Phi _{B} }為磁通量,B{displaystyle mathbf {B} }mathbf {B} 為磁感應強度,S{displaystyle S}S为曲面,{displaystyle cdot }cdot 为点积,dS{displaystyle dmathbf {S} }d{mathbf  {S}}为无穷小向量(见曲面积分)。


磁通量通常通过通量计进行测量。通量计包括测量线圈以及估计测量线圈上电压变化的电路,从而计算磁通量。



通过闭曲面的磁通量



高斯磁定律是四條麥克斯韋方程之一,指出通過一闭曲面的磁通量為零。這定律是依据还没有发现磁單極这一经验得出的。


高斯磁定律為,对任意闭曲面:


ΦB=∫B⋅dS=0,{displaystyle Phi _{B}=int !!!int mathbf {B} cdot dmathbf {S} =0,}{displaystyle Phi _{B}=int !!!int mathbf {B} cdot dmathbf {S} =0,}


通过开曲面的磁通量





图3:空间中的向量场F ( r, t )以及曲面Σ。∂Σ为曲面Σ的边界,以速度v运动。考虑向量场在曲线∂Σ上的积分。


即使通过闭曲面的磁通量是零,通过开曲面的磁通量可以不是零,而且,它是电磁学中一个重要的物理量。例如,当通過一个導電线环的磁通量发生变化,这一变化會引起電動勢的生成,並因此在线环中產生電流。其關係式可由法拉第電磁感應定律得出:


E=∮Σ(t)⁡(E(r, t)+v×B(r, t))⋅dℓ=−Bdt,{displaystyle {mathcal {E}}=oint _{partial Sigma (t)}left(mathbf {E} (mathbf {r} , t)+mathbf {vtimes B} (mathbf {r} , t)right)cdot d{boldsymbol {ell }}=-{dPhi _{B} over dt},}{displaystyle {mathcal {E}}=oint _{partial Sigma (t)}left(mathbf {E} (mathbf {r} , t)+mathbf {vtimes B} (mathbf {r} , t)right)cdot d{boldsymbol {ell }}=-{dPhi _{B} over dt},}

其中(见图3):




E{displaystyle {mathcal {E}}}{mathcal {E}}为電動勢


ΦB{displaystyle Phi _{B}}Phi_B为通过开曲面的磁通量,这一开曲面的边界为Σ(t){displaystyle partial Sigma (t)}partial Sigma (t)


Σ(t){displaystyle partial Sigma (t)}partial Sigma (t)为一个随时间变化的闭曲线


dℓ{displaystyle d{boldsymbol {ell }}}dboldsymbol{ell}是边界Σ(t){displaystyle partial Sigma (t)}partial Sigma (t)无穷小向量元


v{displaystyle mathbf {v} }mathbf {v} 是线段dℓ{displaystyle d{boldsymbol {ell }}}dboldsymbol{ell}的速度


E{displaystyle mathbf {E} }mathbf {E} 为电场


B{displaystyle mathbf {B} }mathbf {B} 为磁场


在上述公式中,电动势的生成可以有两种解释:由洛伦兹力引起的电荷在闭合曲线Σ(t){displaystyle partial Sigma (t)}partial Sigma (t)上的运动;通过开曲面Σ(t){displaystyle Sigma (t)}Sigma (t)的磁通量。这一公式即是發電機的原理。



与电通量的比较



麥克斯韋方程中的高斯電場定律為:


ΦE=∫SE⋅dS=Qϵ0,{displaystyle Phi _{E}=int !!!int _{S}mathbf {E} cdot dmathbf {S} ={Q over epsilon _{0}},}Phi _{E}=int !!!int _{S}{mathbf  {E}}cdot d{mathbf  {S}}={Q over epsilon _{0}},

其中




E{displaystyle mathbf {E} }mathbf {E} 為電場


S{displaystyle S}S為任意闭曲面


Q{displaystyle Q}Q为曲面S{displaystyle S}S包围的电荷


ϵ0{displaystyle epsilon _{0}}epsilon _{0}為真空電容率。


注意,通过闭曲面的E{displaystyle mathbf {E} }mathbf {E} 的通量“并不总是”零,這指出了電“單極”的存在,即自由的正負電荷。



参考文献





  1. ^ Douglas C Giancoli. Physics for scientists & engineers : with modern physics. 培生集團. 2009: 第760頁. ISBN 0131578499. 




外部链接


  • Vicci, 美國專利 6,720,855:磁通量導管(專利)


參見





  • 磁場:代表磁力線的密度。


  • 麥克斯韋方程組:是一組四條偏微分方程式,被詹姆斯·麥克斯韋用作描述電場和磁場,以及它們與物質之間的相互作用。


  • 高斯定律:給出從一密閉表面流出的電通量及表面圈住的電荷之間的關係式。


  • 磁單極:是一種大概能不嚴謹地被形容為「只有單極的磁鐵」的理論粒子。


  • 磁通量量子:是流經超導體的磁通量的量子。


  • 卡爾·高斯:跟物理教授威廉·韋伯的合作發展出成果豐碩的研究;它使得磁學領域得到了新知識。


  • 詹姆斯·麥克斯韋:證明了電力和磁力是電磁的兩個互補層面。


  • 法拉第弔詭:關於法拉第電磁感應定律的弔詭。






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